峰哥博客
众所周知，因为中国芯这几年火热的原因，所以光刻机也是被大家所熟悉。并且很多人都知道当芯片制造技术进入到7nm以后，必然用到EUV光刻机，即紫光线光刻技术。
可能很多人对EUV光刻机不知道具体是怎么回事，其实就是使用13.5nm波长的光线来进行光刻，而在此之前是使用的193nm的光线来进行光刻的。
而13.5nm波长的光线属于紫光线了，所以称之为EUV光刻机，意思是使用紫光线的光刻机。
而EUV光刻机目前只有荷兰的ASML能够生产，而中国大陆目前还没有采购到一台EUV光刻机，所以未来ASML的EUV光刻机能不能顺利卖给中国大陆，是中国能不能实现7nm或以下芯片技术的关键设备之一。
但近日，媒体报道称，中科院发明了一项新技术，那就是不用EUV极紫外线，也能够实现5nm的光刻。
按照中科院的官方说明，他们采用双激光束（波长为405 nm）交叠技术，通过精确控制能量密度及步长，达到了最小5 nm的特征线宽。
很明显这个光的波长是405nm，不属于紫外线的范畴，甚至比193nm的光刻机使用的光，波长还要长，其原因就是因为使用了双激光束交叠技术。
但要注意的是，目前这项技术仅是实验室技术，同时也并没有明确能不能用于半导体芯片的制造中来，只是在实验中达到5nm的精度，打破了必须用EUV才能实现5nm精度的极限。
当然，任何技术的实现，都是先从理论，到实验室最后到量产，所以这项技术完全是有可能量产的，只是看要多久的时间来实现了。
而一旦量产，并能够用于芯片制造的话，那么中国的光刻机就再也不怕被卡了，那么中国芯的制造技术提升，也更有保障了。
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作者:
F_Robot，
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原文地址《
ASML的光刻技术被突破？中科院的新技术，不用EUV，实现5nm光刻》发布于2020-7-11
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