峰哥博客
众所周知，国内有一家光刻机巨头，那就是上海微电子，它似乎也是国内唯一能够生产芯片光刻机的厂商，目前能够生产最高用于90nm芯片制造的光刻机，在低端市场还是很有份量的。
上海微电子是2002年才进入光刻机领域的，而像ASML是1984年就进入该领域了，可以说是晚了20年，所以在技术上，上海微电子现在也才实现了90nm，而ASML能够实现3nm的芯片光刻机了。
那么为何上海微电子从2002年进入，到现在都18年了，为何还停留在90nm？中间究竟是什么原因呢？其实说真的，在于有一个坎还没有跨过去，只要跨过去了，就可以直接进入么10nm了，这个坎就是浸润式光刻技术。
光刻机的核心是光源，而光刻机的工艺能力要取决于光源的波长，目前使用的主要有三类光源，最早是汞灯光源，在365-436nm之间，后来发展到DUV光源，波长在248-193之间，而EUV光源则是13.5nm。
光刻机在发展到193nm波长的光源时，后来的动作是进入到157nm，但技术难度大，后来台积电的工程师提出了一个想法，那就是为何不用水来做介质，让光在水中产生折射，这样波长就等效于变短了么？于是浸润式光刻机技术出来了，也就是ArF+immersion，明明是193nm，却等效于134nm光源。
如上图，大家就明白了，90nm、65/55nm的芯片，是用193nm的ArF源光的光刻机进行光刻机的，也就是现在上海微电子的水平。
但如果实现了浸润式技术之后，193nm的光源等效于134nm，那么就可以实现45/40、28nm、22/20、14/16、10nm这些节点的芯片光刻了。
只有进入到下一阶段10nm以及更尖端的芯片时，才需要用到EUV光刻技术，而在10nm或以上，都是使用193nm的光源，再配合浸润式技术就行了。
所以说上海微电子只要跨过浸润式光刻机技术这个坎之后， 就将迎来大进步，而不是一步一台阶，是可以实现一步好多小台阶。
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作者:
F_Robot，
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原文地址《
为什么国产光刻机，18年了还卡在90nm，有一个坎跨过去就能到10nm》发布于2020-7-27
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